BOTH以創新方式，推動大規模先進材料智造港項目快速實施

“以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AlN）、硒化鋅（ZnSe）等為代表的材料是第三代半導體材料，被稱為“未來電子產業基石”。其中，碳化硅與氮化鎵耐高電壓、耐高溫性能更好，更適合在高頻環境下工作，是目前第三代半導體材料中發展較為成熟的材料，在半導體照明、新能源汽車、新一代移動通信、新能源并網、高速軌道交通等領域具有廣闊的應用前景?！?/span>

近期，在山東濟南， BOTH作為潔凈系統總承包商，正積極推動一座大規模先進材料智造港項目快速實施，全面負責項目潔凈室、自控、化學品分配、特種氣體、超純水和廢水處理系統等，確保項目高質量和卓越交付。

據公開信息顯示，該項目總建筑面積約30萬平方米，致力于打造山東省新一代信息技術、新材料和半導體產業集群的重要基礎載體，助力濟南市新材料、半導體技術轉型升級，向創新化、高端化、國際化邁進。項目建成后，對帶動地方經濟、促進就業、推動濟南市新材料、半導體技術的發展具有重要意義。一期全面達產后,預計年產值可達50億元，利稅5億元，帶動就業約2000人，是2024年“濟南市市級重點項目”。

*資料來源于客戶官微報道

隨著對第三代半導體材料需求的快速增長，我們的客戶面臨著加速擴大制造能力的需求。

深耕高科技產業領域30多年，BOTH在應對復雜挑戰方面具有得天獨厚的優勢，我們將利用豐富的知識和經驗,為客戶提供全方位的項目交付服務和技術專長，通過施工設計、預制模塊化和數字化方面的主動規劃、風險管理和創新解決方案幫助縮短項目周期，同時確保在安全和質量績效方面保持高標準，幫助客戶在更大范圍內取得成功。